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Tesla雷达天线浅析

发布时间:2023-03-14作者来源:金航标浏览:932

前段时间Tesla重拾雷达的消息扰动了整个行业,甚至扰动了资本市场。网络上也放出来几张雷达PCB及实物尺寸图。本期邀请了一份技术稿,对这款雷达做一些基本的分析,和大家一起探讨,如有错误之处,期待各位读者朋友及同仁的指导。

根据xx的测试报告,行业研究指出Tesla雷达采用TI 2243双芯片级联方案。TI官网给出的芯片发射功率为13dBm,RX noise figure:12dB。从测试报告里可以看出,Tesla雷达采用FMCW工作体制,工作频率为76-77GHz,且雷达支持三种工作模式(文件中定义为Mode3,Mode4和Mode5),三种工作模式的扫频带宽分别为210MHz,400MHz和700MHz,斜率一样。

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模式特性
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工作模式

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不同模式的参数配置

产品尺寸:196 mm (Length)×82 mm (Width)×40 mm (Height)。由于没有相应的板材信息,根据其他厂商雷达的材料选型,文中的仿真材料选用Rogers3003,为常用材料,介电常数3,损耗正切角0.001。

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                                                                                                          雷达实物图

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雷达PCB

使用微带转SIW结构,雷达屏蔽罩可实现全接地方式,达到更好的电磁屏蔽效果。雷达采用内置微带天线,总增益20.32dBi,雷达有6个发射天线,但只有4个天线能同时发射,单天线最大增益14.3dBi,总增益=单根天线增益值+10log(同时发射天线个数)=14.3dBi+10log4=20.32dBi。同时还给出了单天线的俯仰和方位波束宽度

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天线信息

FCC法规中§ 95.3367(a)章节对 76-81 GHz 频段雷达辐射功率限制如下:76-81 GHz 频段内的基本辐射发射限制以等效全向辐射功率 (EIRP) 表示,如下所示:(a) 根据使用具有 1 MHz 分辨率带宽 (RBW) 的功率平均检测器的测量结果,76-81 GHz 频带内的最大功率 (EIRP) 不得超过 50 dBm。(b) 根据使用具有 1 MHz RBW 的峰值检测器的测量结果,76-81 GHz 频带内的最大峰值功率 (EIRP) 不得超过 55 dBm。根据ISEDC RSS-251第8.1章节,根据使用具有1 MHz 分辨率带宽 (RBW) 的功率平均检测器的测量结果,测试功率为占用带宽内的总功率,且最大峰值功率不得超过55dBm。
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Peak fundamental Emission

Tesla雷达的三种工作模式下的Peak EIRP测试结果如下表:
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测试值
接下来,将对测试结果进行分析(增益和发射功率均以最大值计算)
根据测试报告,可以得出单天线性能(最大增益14.3dB,3dB方位波束宽度48°,俯仰14°)。芯片发射功率TX power=13dBm,Mode 3 Max EIRP=31.54 dBm,Mode 4 EIRP=32.97 dBm以及Mode 5 EIRP=36.19 dBm。测试结果中是以的PSA reading是以dBuV/m为单位,需要转换到dBm。根据ANSI C63.10-2013 Section 10.3.9,在距离为3m的测试场景下,dBuV/m到dBm的转换公式是EIRP(dBm)=E(dBuV/m)-95.3。E(dBuV/m)对应上表中的Corrected Field Strength(dBuV/m at 3m)。

假设存在单天线发射模式,此时天线增益14.3dBi,芯片功率13dBm,在系统损耗(x)一定的情况下,峰值EIRP=14.3+13-x=27.3-x,此种工作模式下的最大EIRP值无法到达前面的Mode3、4、5中的EIRP值,因此雷达不存在单发模式。两芯片级联并且同时工作时,总的发射功率Tx total=Tx power+10log2=16.01dBm。同时,不同个数的天线同时发射时的增益值如下:单根天线天线发射增益:14.3dBi;两根天线同时发射时增益为17.3dBi;三发和四发增益分别为19.07dBi和20.32dBi;因为Mode5的EIRP为36.19dBm,结合芯片功率和损耗值可知Mode5的工作模式为双芯片4发。对比Mode4和Mode5之间的EIRP差值(3dB),可以推导出Mode4的工作模式为双芯片双发,Mode3的工作模式为单芯片三发。(以上推论是作者基于测试报告中已给出的工作模式和测试值,计算公式为EIRP=Tx power+Antenna Gain-Loss,是否存在其他工作模式,尚无法确认)。

天线布局见下图(未加屏蔽罩及SIW结构),根据单个接收天线的尺寸做比拟,以半波长间距为基准,得到发射天线和接收天线的间距。两芯片级联,其中芯片1的三发处于同一水平面,无俯仰向区分,间距6倍波长。芯片2(Tx3-Tx5)的三个发射天线俯仰向相差2倍波长,水平间距3倍波长。PCB表层采用人工电磁表面结构,可减小纹波抖动。

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天线布局图
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接收天线
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接收天线方向图@76GHz

接收天线,Port1和Port2之间的性能差异在方位面角度上,Port2方位面角度约120°,Port1方位面角度50°(3dB),推断短距离模式用上图接收天线中的Port2和Port7来工作。

为实现屏蔽罩全接地,天线采用SIW转换结构,对加载SIW结构的RX天线组进一步仿真,由于SIW结构的宽度主要影响截止频率,因此在没获得准确的参数的前提下,仿真结构的截止频率可能和Tesla用的SIW结构存在差异。对SIW结构做阻抗匹配,并代入天线馈电端口,接收天线的隔离度大于-20dB,由于未对Port2上的功分器做过多的匹配设计,因此Port2和Port3之间存在一定频偏量;

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图12:加载SIW结构的S参数

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图13:增加屏蔽罩金属地的S参数

在SIW结构上增加金属接地,模拟屏蔽罩的影响(受仿真时间限制,未将整个屏蔽罩设计进去),增加接地金属前后S参数并未产生明显偏移和畸变,两者基本重合。且SIW结构在76.5GHz处的电场均匀分布在波导管内。

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图14:SIW的电场分布@76.5G

加载了SIW结构的天线仿真性能如下,由于SIW结构比较短,因此整体损耗并不大。

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图15:加载SIW结构的天线性能
由于尚不清楚工作时天线的选择方式,以及移相器配置,因此无法知晓具体的发射天线工作方式。根据上面的不同模式推理,感兴趣的读者可以尝试选择不同的发射天线进行组合,对可能的组合形式做进一步仿真分析,可以明确的是,不同的发射天线组合形式势必会增强天线增益强度和天线FoV的变化。

参考资料:
  1. Wang K D, Hong W, Wu K. Broadband transition between substrate integrated 
    waveguide (SIW) and rectangular waveguide for millimeter-wave applications[J].Applied Mechanics & Materials, 2012, 130-134:1990-1993.



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